Справочник MOSFET. HGA053N06SL

 

HGA053N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA053N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 793 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA053N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA053N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn hunteck
 hga053n06sl.pdf pdf_icon

HGA053N06SL

HGA053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness54 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 4.1. Size:913K  cn hunteck
 hga053n06s.pdf pdf_icon

HGA053N06SL

P-1HGA053N06S60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature4.8RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching56 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

 9.1. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12sl.pdf pdf_icon

HGA053N06SL

HGA059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability67 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2 Power Tools

 9.2. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12s.pdf pdf_icon

HGA053N06SL

HGA059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability66.7 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-220FPin2 Power Tools

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , HGA045NE4SL , HGA046NE6A , HGA046NE6AL , HGA053N06S , IRF1010E , HGA055N10SL , HGA058N08SL , HGA059N08A , HGA059N12S , HGA059N12SL , HGA080N10A , HGA080N10AL , HGA080N10S .

History: AO6411 | P4404QVT | QS8J2 | LND150N3 | MPSA65M380B | CS8N65F-B | STD80N4F6

 

 
Back to Top

 


 
.