HGA055N10SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA055N10SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA055N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA055N10SL даташит

 ..1. Size:788K  cn hunteck
 hga055n10sl.pdf pdf_icon

HGA055N10SL

HGA055N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 4.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 62.7 A ID Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and High Speed Circui

 9.1. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12sl.pdf pdf_icon

HGA055N10SL

HGA059N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 67 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2 Power Tools

 9.2. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12s.pdf pdf_icon

HGA055N10SL

HGA059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 66.7 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain TO-220F Pin2 Power Tools

 9.3. Size:973K  cn hunteck
 hga059n08a.pdf pdf_icon

HGA055N10SL

HGA059N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 5.3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 49 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2 TO-220

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGA028NE6AL, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL, HGA046NE6A, HGA046NE6AL, HGA053N06S, HGA053N06SL, IRF4905, HGA058N08SL, HGA059N08A, HGA059N12S, HGA059N12SL, HGA080N10A, HGA080N10AL, HGA080N10S, HGA082N10M