Справочник MOSFET. HGA080N10AL

 

HGA080N10AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGA080N10AL
   Маркировка: GA080N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 348 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для HGA080N10AL

 

 

HGA080N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
hga080n10al.pdf

HGA080N10AL
HGA080N10AL

HGA080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 4.1. Size:992K  cn hunteck
hga080n10a.pdf

HGA080N10AL
HGA080N10AL

P-1HGA080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching7.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability43.5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

 5.1. Size:988K  cn hunteck
hga080n10s.pdf

HGA080N10AL
HGA080N10AL

HGA080N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

 9.1. Size:800K  cn hunteck
hga082n10m.pdf

HGA080N10AL
HGA080N10AL

HGA082N10M P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDS6.4RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching8.2RDS(on),max m Enhanced Body diode dv/dt capability48 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitPin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top