HGA090N06SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA090N06SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA090N06SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA090N06SL даташит

 ..1. Size:772K  cn hunteck
 hga090n06sl.pdf pdf_icon

HGA090N06SL

HGA090N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 10 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 31.8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Dra

 9.1. Size:999K  cn hunteck
 hga098n10a.pdf pdf_icon

HGA090N06SL

P-1 HGA098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching VGS=10V 9.3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 37 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Ci

 9.2. Size:1020K  cn hunteck
 hga098n10s.pdf pdf_icon

HGA090N06SL

HGA098N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.4 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit

 9.3. Size:1164K  cn hunteck
 hga093n12sl.pdf pdf_icon

HGA090N06SL

HGA093N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching, Logic Level 120 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGA058N08SL, HGA059N08A, HGA059N12S, HGA059N12SL, HGA080N10A, HGA080N10AL, HGA080N10S, HGA082N10M, 13N50, HGA093N12SL, HGA098N10A, HGA098N10AL, HGA098N10S, HGA100N12S, HGA100N12SL, HGA105N15M, HGA110N10SL