Справочник MOSFET. HGA098N10A

 

HGA098N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA098N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA098N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA098N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  cn hunteck
 hga098n10a.pdf pdf_icon

HGA098N10A

P-1HGA098N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingVGS=10V9.3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability37 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainPin2 Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:990K  cn hunteck
 hga098n10al.pdf pdf_icon

HGA098N10A

HGA098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 5.1. Size:1020K  cn hunteck
 hga098n10s.pdf pdf_icon

HGA098N10A

HGA098N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.4RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainPin2 Hard Switching and High Speed Circuit

 9.1. Size:1164K  cn hunteck
 hga093n12sl.pdf pdf_icon

HGA098N10A

HGA093N12SLP-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level 120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGA059N12S , HGA059N12SL , HGA080N10A , HGA080N10AL , HGA080N10S , HGA082N10M , HGA090N06SL , HGA093N12SL , 4N60 , HGA098N10AL , HGA098N10S , HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , HGA110N10SL , HGA115N15S , HGA120N10A .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.