HGA120N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGA120N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
HGA120N10A Datasheet (PDF)
hga120n10a.pdf

HGA120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching12.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability27 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and I
Другие MOSFET... HGA098N10A , HGA098N10AL , HGA098N10S , HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , HGA110N10SL , HGA115N15S , IRFP250 , HGA130N12S , HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement