Справочник MOSFET. HGA120N10A

 

HGA120N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA120N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA120N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA120N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  cn hunteck
 hga120n10a.pdf pdf_icon

HGA120N10A

HGA120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching12.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability27 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and I

Другие MOSFET... HGA098N10A , HGA098N10AL , HGA098N10S , HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , HGA110N10SL , HGA115N15S , IRFP250 , HGA130N12S , HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S .

 

 
Back to Top

 


 
.