HGA130N12SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA130N12SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA130N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA130N12SL даташит

 ..1. Size:929K  cn hunteck
 hga130n12sl.pdf pdf_icon

HGA130N12SL

P-1 HGA130N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 36 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 4.1. Size:925K  cn hunteck
 hga130n12s.pdf pdf_icon

HGA130N12SL

P-1 HGA130N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 10 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 36.9 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit

Другие IGBT... HGA098N10S, HGA100N12S, HGA100N12SL, HGA105N15M, HGA110N10SL, HGA115N15S, HGA120N10A, HGA130N12S, IRFP450, HGA155N15S, HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML