Справочник MOSFET. HGA130N12SL

 

HGA130N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA130N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA130N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA130N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:929K  cn hunteck
 hga130n12sl.pdf pdf_icon

HGA130N12SL

P-1HGA130N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness36 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 4.1. Size:925K  cn hunteck
 hga130n12s.pdf pdf_icon

HGA130N12SL

P-1HGA130N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching10RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability36.9 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swit

Другие MOSFET... HGA098N10S , HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , HGA110N10SL , HGA115N15S , HGA120N10A , HGA130N12S , IRF1407 , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , HGA1K2N25ML .

History: 2SK2510 | FCPF250N65S3L1 | GSM8987 | WMM53N60C4 | DH060N08D | SQM200N04-1M7L | FQP6N50

 

 
Back to Top

 


 
.