Справочник MOSFET. HGA155N15S

 

HGA155N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA155N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA155N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA155N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn hunteck
 hga155n15s.pdf pdf_icon

HGA155N15S

P-1HGA155N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness33 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrai

Другие MOSFET... HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , HGA110N10SL , HGA115N15S , HGA120N10A , HGA130N12S , HGA130N12SL , IRFZ24N , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , HGA1K2N25ML , HGA2K4N25ML .

History: TPC8085 | TPCA8A09-H | FDS3670 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.