Справочник MOSFET. HGA170N10A

 

HGA170N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA170N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA170N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA170N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hga170n10a.pdf pdf_icon

HGA170N10A

HGA170N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

 0.1. Size:907K  cn hunteck
 hga170n10al.pdf pdf_icon

HGA170N10A

HGA170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability21RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness21.9 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... HGA100N12SL , HGA105N15M , HGA110N10SL , HGA115N15S , HGA120N10A , HGA130N12S , HGA130N12SL , HGA155N15S , P60NF06 , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , HGA1K2N25ML , HGA2K4N25ML , HGA320N20S .

History: PH6325L | PSMN5R0-100PS | HTJ600N06 | MMQ60R115PTH | VBE1638 | AUIRFSL8403

 

 
Back to Top

 


 
.