HGA170N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA170N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA170N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA170N10A даташит

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hga170n10a.pdf pdf_icon

HGA170N10A

HGA170N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

 0.1. Size:907K  cn hunteck
 hga170n10al.pdf pdf_icon

HGA170N10A

HGA170N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 21 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21.9 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Другие IGBT... HGA100N12SL, HGA105N15M, HGA110N10SL, HGA115N15S, HGA120N10A, HGA130N12S, HGA130N12SL, HGA155N15S, AO4407, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, HGA2K4N25ML, HGA320N20S