HGA170N10AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA170N10AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA170N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA170N10AL даташит

 ..1. Size:907K  cn hunteck
 hga170n10al.pdf pdf_icon

HGA170N10AL

HGA170N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 21 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21.9 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 4.1. Size:905K  cn hunteck
 hga170n10a.pdf pdf_icon

HGA170N10AL

HGA170N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

Другие IGBT... HGA105N15M, HGA110N10SL, HGA115N15S, HGA120N10A, HGA130N12S, HGA130N12SL, HGA155N15S, HGA170N10A, BS170, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, HGA2K4N25ML, HGA320N20S, HGB009NE6A