Справочник MOSFET. SP632S

 

SP632S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP632S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP632S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  samhop
 sp632s.pdf pdf_icon

SP632S

GreenProductSP632SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 10A24 @ VGS=4.5VPIN 1 5 6 7 8DFN 5x6 1 2 3 4ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwi

Другие MOSFET... SP8009EL , FDS86141 , SP8005 , FDS86240 , FDS86242 , FDS86252 , FDS8638 , FDS8813NZ , IRFP250 , FDS8817NZ , SP4412 , FDS8840NZ , FDS8842NZ , FDS8858CZ , SP4401 , SP3906 , FDS8870 .

History: SP8076EL | HFS9N50

 

 
Back to Top

 


 
.