SP632S - описание и поиск аналогов

 

SP632S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP632S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SP632S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP632S даташит

 ..1. Size:99K  samhop
 sp632s.pdf pdf_icon

SP632S

Green Product SP632S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 16 @ VGS=10V Suface Mount Package. 60V 10A 24 @ VGS=4.5V PIN 1 5 6 7 8 DFN 5x6 1 2 3 4 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwi

Другие MOSFET... SP8009EL , FDS86141 , SP8005 , FDS86240 , FDS86242 , FDS86252 , FDS8638 , FDS8813NZ , IRF1010E , FDS8817NZ , SP4412 , FDS8840NZ , FDS8842NZ , FDS8858CZ , SP4401 , SP3906 , FDS8870 .

History: AOD4120 | STM6926 | AP60T03AS | MMBT7002 | SGSP361 | SP4412 | FDS4559F085

 

 

 

 

↑ Back to Top
.