HGK014N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGK014N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2871 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK014N08A
HGK014N08A Datasheet (PDF)
hgb014n08a hgk014n08a.pdf

, P-1HGB014N08A HGK014N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness371 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificatio
hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)
hgb012ne6a hgk012ne6a.pdf

, P-1HGB012NE6A HGK012NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness417 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification
hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf

HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack
Другие MOSFET... HGA1K2N25ML , HGA2K4N25ML , HGA320N20S , HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , IRFB31N20D , HGB016N06S , HGK018N06S , HGP019N06S , HGB016NE6A , HGB017N10S , HGB019NE6A , HGK019NE6A , HGP019NE6A .
History: BUK457-400A | GP1M003A090XX | DMN53D0LDW | NCE65NF099T
History: BUK457-400A | GP1M003A090XX | DMN53D0LDW | NCE65NF099T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406