HGB017N10S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGB017N10S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2657 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO-263-7

Аналог (замена) для HGB017N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB017N10S даташит

 ..1. Size:1003K  cn hunteck
 hgb017n10s.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB017N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 1.4 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 354 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 240 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

 9.1. Size:863K  cn hunteck
 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB016N06S , HGK018N06S P-1 HGP019N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.45 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.67 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 340 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited)

 9.2. Size:1002K  cn hunteck
 hgb012n08a.pdf pdf_icon

HGB017N10S

P-1 HGB012N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.9 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 428 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 240 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Cir

 9.3. Size:997K  cn hunteck
 hgb016ne6a.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB016NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 1.35 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 363 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 180 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S, HGP019N06S, HGB016NE6A, P60NF06, HGB019NE6A, HGK019NE6A, HGP019NE6A, HGB020N10S, HGK020N10S, HGP020N10S, HGB020NE4S, HGK020NE4S