Справочник MOSFET. HGB017N10S

 

HGB017N10S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB017N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2657 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO-263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB017N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  cn hunteck
 hgb017n10s.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB017N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.4RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness354 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

 9.1. Size:863K  cn hunteck
 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)

 9.2. Size:1002K  cn hunteck
 hgb012n08a.pdf pdf_icon

HGB017N10S

P-1HGB012N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.9RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness428 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Cir

 9.3. Size:997K  cn hunteck
 hgb016ne6a.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB016NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.35RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness363 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMK53N65C4 | 2SK2394 | 8810 | FDMC86012 | SSF8205A | NCE70T900K | HSS3401A

 

 
Back to Top

 


 
.