Справочник MOSFET. HGB017N10S

 

HGB017N10S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB017N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2657 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO-263-7
 

 Аналог (замена) для HGB017N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB017N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  cn hunteck
 hgb017n10s.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB017N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.4RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness354 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

 9.1. Size:863K  cn hunteck
 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)

 9.2. Size:1002K  cn hunteck
 hgb012n08a.pdf pdf_icon

HGB017N10S

P-1HGB012N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.9RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness428 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Cir

 9.3. Size:997K  cn hunteck
 hgb016ne6a.pdf pdf_icon

HGB017N10S

HGB016NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.35RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness363 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S , HGP019N06S , HGB016NE6A , AO3401 , HGB019NE6A , HGK019NE6A , HGP019NE6A , HGB020N10S , HGK020N10S , HGP020N10S , HGB020NE4S , HGK020NE4S .

History: AP4800AGM | STP11NM50N | LND150N3

 

 
Back to Top

 


 
.