HGP019NE6A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGP019NE6A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3042 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HGP019NE6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP019NE6A даташит

 ..1. Size:1282K  cn hunteck
 hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf pdf_icon

HGP019NE6A

HGB019NE6A HGP019NE6A , P-1 HGK019NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.35 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited) 180 A ID (Pack

 7.1. Size:863K  cn hunteck
 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGP019NE6A

HGB016N06S , HGK018N06S P-1 HGP019N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.45 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.67 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 340 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited)

Другие IGBT... HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S, HGP019N06S, HGB016NE6A, HGB017N10S, HGB019NE6A, HGK019NE6A, IRFB31N20D, HGB020N10S, HGK020N10S, HGP020N10S, HGB020NE4S, HGK020NE4S, HGP020NE4S, HGB021N08A, HGP021N08A