Справочник MOSFET. HGP019NE6A

 

HGP019NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP019NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3042 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP019NE6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP019NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1282K  cn hunteck
 hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf pdf_icon

HGP019NE6A

HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack

 7.1. Size:863K  cn hunteck
 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGP019NE6A

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)

Другие MOSFET... HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S , HGP019N06S , HGB016NE6A , HGB017N10S , HGB019NE6A , HGK019NE6A , IRF730 , HGB020N10S , HGK020N10S , HGP020N10S , HGB020NE4S , HGK020NE4S , HGP020NE4S , HGB021N08A , HGP021N08A .

History: 2SK1511 | AOI4S60 | 2SK1213 | JCS4N65FB | AP4419GH | SQJ500AEP | FTK1N60P

 

 
Back to Top

 


 
.