HGK029N10S - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HGK029N10S. Основные параметры


   Наименование производителя: HGK029N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HGK029N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK029N10S даташит

 ..1. Size:976K  cn hunteck
hgb027n10s hgk029n10s hgp030n10s.pdfpdf_icon

HGK029N10S

, P-1 HGB027N10S HGK029N10S HGP030N10S 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 2.25 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 2.42 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.50 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 260 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) App

 9.1. Size:861K  cn hunteck
hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdfpdf_icon

HGK029N10S

, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)

 9.2. Size:1129K  cn hunteck
hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdfpdf_icon

HGK029N10S

, P-1 HGB020NE4S HGK020NE4S HGP020NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.75 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 288 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Appli

 9.3. Size:870K  cn hunteck
hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdfpdf_icon

HGK029N10S

, HGB025N06S HGK025N06S P-1 HGP025N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.6 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.8 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.9 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 230 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Ap

Другие MOSFET... HGK025N06S , HGP025N06S , HGB025N10A , HGB025N12S , HGB027N10A , HGK027N10A , HGP027N10A , HGB027N10S , IRF740 , HGP030N10S , HGB027N12S , HGP027N12S , HGB028N08A , HGP028N08A , HGB028NE6A , HGP028NE6A , HGB029N06SL .

 

 
Back to Top

 


 
.