HGP035N08A - аналоги и даташиты транзистора

 

HGP035N08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP035N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 172 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 703 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP035N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP035N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:968K  cn hunteck
 hgb035n08a hgp035n08a.pdf pdf_icon

HGP035N08A

HGB035N08A , HGP035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness161 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hig

 0.1. Size:910K  cn hunteck
 hgp035n08al.pdf pdf_icon

HGP035N08A

HGP035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness150 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching a

 7.1. Size:1072K  cn hunteck
 hgb035n10a hgk035n10a hgp035n10a.pdf pdf_icon

HGP035N08A

, P-1HGB035N10A HGK035N10AHGP035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ TO-263 mW Enhanced Avalanche Ruggedness3.3RDS(on),typ TO-247 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.4RDS(on),typ TO-220 mW Lead Free184 AID (Sillicon Limited)Application120 AID (Package Lim

 9.1. Size:918K  cn hunteck
 hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdf pdf_icon

HGP035N08A

HGB037N10S HGK037N10S P-1,HGP037N10S100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 2.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.1RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested190 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGP028N08A , HGB028NE6A , HGP028NE6A , HGB029N06SL , HGP029N06SL , HGB029NE4SL , HGP029NE4SL , HGB035N08A , IRFP260N , HGB035N10A , HGK035N10A , HGP035N10A , HGB037N10S , HGK037N10S , HGP037N10S , HGB037N10T , HGP037N10T .

History: UF830KG-TF3-T | QS6J11 | UF830KG-TN3-R | VBMB165R07S

 

 
Back to Top

 


 
.