HGP035N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGP035N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 172 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 703 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HGP035N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP035N08A даташит

 ..1. Size:968K  cn hunteck
hgb035n08a hgp035n08a.pdfpdf_icon

HGP035N08A

HGB035N08A , HGP035N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 3.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 161 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and Hig

 0.1. Size:910K  cn hunteck
hgp035n08al.pdfpdf_icon

HGP035N08A

HGP035N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 150 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

 7.1. Size:1072K  cn hunteck
hgb035n10a hgk035n10a hgp035n10a.pdfpdf_icon

HGP035N08A

, P-1 HGB035N10A HGK035N10A HGP035N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 3.1 RDS(on),typ TO-263 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 3.3 RDS(on),typ TO-247 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 3.4 RDS(on),typ TO-220 mW Lead Free 184 A ID (Sillicon Limited) Application 120 A ID (Package Lim

 9.1. Size:918K  cn hunteck
hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdfpdf_icon

HGP035N08A

HGB037N10S HGK037N10S P-1 , HGP037N10S 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 2.8 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 3 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 3.1 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 190 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Ap

Другие IGBT... HGP028N08A, HGB028NE6A, HGP028NE6A, HGB029N06SL, HGP029N06SL, HGB029NE4SL, HGP029NE4SL, HGB035N08A, IRFP260N, HGB035N10A, HGK035N10A, HGP035N10A, HGB037N10S, HGK037N10S, HGP037N10S, HGB037N10T, HGP037N10T