Справочник MOSFET. HGP035N10A

 

HGP035N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP035N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 923 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP035N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP035N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  cn hunteck
 hgb035n10a hgk035n10a hgp035n10a.pdf pdf_icon

HGP035N10A

, P-1HGB035N10A HGK035N10AHGP035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ TO-263 mW Enhanced Avalanche Ruggedness3.3RDS(on),typ TO-247 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.4RDS(on),typ TO-220 mW Lead Free184 AID (Sillicon Limited)Application120 AID (Package Lim

 7.1. Size:968K  cn hunteck
 hgb035n08a hgp035n08a.pdf pdf_icon

HGP035N10A

HGB035N08A , HGP035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness161 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hig

 7.2. Size:910K  cn hunteck
 hgp035n08al.pdf pdf_icon

HGP035N10A

HGP035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness150 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching a

 9.1. Size:918K  cn hunteck
 hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdf pdf_icon

HGP035N10A

HGB037N10S HGK037N10S P-1,HGP037N10S100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 2.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.1RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested190 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGB029N06SL , HGP029N06SL , HGB029NE4SL , HGP029NE4SL , HGB035N08A , HGP035N08A , HGB035N10A , HGK035N10A , P55NF06 , HGB037N10S , HGK037N10S , HGP037N10S , HGB037N10T , HGP037N10T , HGA037N10T , HGB037N15M , HGB039N08A .

History: HGB046NE6A | P4506BD | OSG65R070PT3F | HY1803C2 | ME4972-G | SUM90N08-6M2P | IXTN200N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.