HGK037N10S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGK037N10S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для HGK037N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK037N10S даташит

 ..1. Size:918K  cn hunteck
 hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdf pdf_icon

HGK037N10S

HGB037N10S HGK037N10S P-1 , HGP037N10S 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 2.8 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 3 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 3.1 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 190 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Ap

 9.1. Size:925K  cn hunteck
 hgb039n12s hgk039n12s hgp039n12s.pdf pdf_icon

HGK037N10S

, HGB039N12S HGK039N12S P-1 HGP039N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 3.6 RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability 197 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 180 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

 9.2. Size:1072K  cn hunteck
 hgb035n10a hgk035n10a hgp035n10a.pdf pdf_icon

HGK037N10S

, P-1 HGB035N10A HGK035N10A HGP035N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 3.1 RDS(on),typ TO-263 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 3.3 RDS(on),typ TO-247 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 3.4 RDS(on),typ TO-220 mW Lead Free 184 A ID (Sillicon Limited) Application 120 A ID (Package Lim

 9.3. Size:764K  cn hunteck
 hgk030n06s.pdf pdf_icon

HGK037N10S

HGK030N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching 2.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 190 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGB029NE4SL, HGP029NE4SL, HGB035N08A, HGP035N08A, HGB035N10A, HGK035N10A, HGP035N10A, HGB037N10S, AON6414A, HGP037N10S, HGB037N10T, HGP037N10T, HGA037N10T, HGB037N15M, HGB039N08A, HGP039N08A, HGB039N08S