Справочник MOSFET. HGK039N12S

 

HGK039N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGK039N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 716 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HGK039N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK039N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  cn hunteck
 hgb039n12s hgk039n12s hgp039n12s.pdf pdf_icon

HGK039N12S

,HGB039N12S HGK039N12S P-1HGP039N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.6RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability197 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard

 7.1. Size:851K  cn hunteck
 hgb039n08s hgk039n08s hgp039n08s.pdf pdf_icon

HGK039N12S

,HGB039N08S HGK039N08S P-1HGP039N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3.1RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.2RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested187 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limit

 9.1. Size:918K  cn hunteck
 hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdf pdf_icon

HGK039N12S

HGB037N10S HGK037N10S P-1,HGP037N10S100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 2.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.1RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested190 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

 9.2. Size:1072K  cn hunteck
 hgb035n10a hgk035n10a hgp035n10a.pdf pdf_icon

HGK039N12S

, P-1HGB035N10A HGK035N10AHGP035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ TO-263 mW Enhanced Avalanche Ruggedness3.3RDS(on),typ TO-247 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.4RDS(on),typ TO-220 mW Lead Free184 AID (Sillicon Limited)Application120 AID (Package Lim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGA037N10T , HGB037N15M , HGB039N08A , HGP039N08A , HGB039N08S , HGK039N08S , HGP039N08S , HGB039N12S , K4145 , HGP039N12S , HGB039N15M , HGP039N15M , HGB040N06S , HGP040N06S , HGB040N06SL , HGP040N06SL , HGB041N15S .

History: TSJ10N10AT | 2SK2706 | PSMNR70-30YLH | CJPF04N60 | AP9916GJ | RJK0453DPB

 

 
Back to Top

 


 
.