HGB040N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGB040N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 984 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HGB040N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB040N06S даташит

 ..1. Size:810K  cn hunteck
hgb040n06s hgp040n06s.pdfpdf_icon

HGB040N06S

HGB040N06S HGP040N06S P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature TO-263 3.1 RDS(on),typ m Optimized for high speed switching TO-220 3.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 156 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synch

 0.1. Size:822K  cn hunteck
hgb040n06sl hgp040n06sl.pdfpdf_icon

HGB040N06S

HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)

 9.1. Size:1049K  cn hunteck
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdfpdf_icon

HGB040N06S

, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous

 9.2. Size:919K  cn hunteck
hgb046ne6a hgp046ne6a.pdfpdf_icon

HGB040N06S

, P-1 HGB046NE6A HGP046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 108 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Другие IGBT... HGB039N08S, HGK039N08S, HGP039N08S, HGB039N12S, HGK039N12S, HGP039N12S, HGB039N15M, HGP039N15M, AO3401, HGP040N06S, HGB040N06SL, HGP040N06SL, HGB041N15S, HGB042N10A, HGP042N10A, HGB042N10S, HGP042N10S