Справочник MOSFET. SP3906

 

SP3906 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP3906
   Маркировка: 3906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 174 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP3906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  samhop
sp3906.pdfpdf_icon

SP3906

GreenProductSP3906aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.85 @ VGS=10VSuface Mount Package.35V 5A131 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6(TA=

 9.1. Size:111K  samhop
sp3901.pdfpdf_icon

SP3906

GreenProductSP3901aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 5.8A80 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.2. Size:112K  samhop
sp3902.pdfpdf_icon

SP3906

GreenProductSP3902aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 10A27 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.3. Size:113K  samhop
sp3903.pdfpdf_icon

SP3906

GreenProductSP3903aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.22 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 7.5A32 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless ot

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 6N65KL-TN3-R | SMY52 | SMP730 | SP07N65

 

 
Back to Top

 


 
.