HGP042N10A - аналоги и даташиты транзистора

 

HGP042N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP042N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 167 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP042N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP042N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  cn hunteck
 hgb042n10a hgp042n10a.pdf pdf_icon

HGP042N10A

,HGB042N10A HGP042N10A P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeatureTO-263 3.4RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 3.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability167 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Swit

 0.1. Size:783K  cn hunteck
 hgp042n10al.pdf pdf_icon

HGP042N10A

HGP042N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS Optimized for high speed smooth switching,Logic level3.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability4.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness166 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drai

 5.1. Size:802K  cn hunteck
 hgb042n10s hgp042n10s.pdf pdf_icon

HGP042N10A

,HGB042N10S HGP042N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 3.4RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness161 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-220TO-263 Hard Switching and

 9.1. Size:1049K  cn hunteck
 hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf pdf_icon

HGP042N10A

, P-1HGB043N15S HGK043N15SHGP043N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.3RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested206 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGB039N15M , HGP039N15M , HGB040N06S , HGP040N06S , HGB040N06SL , HGP040N06SL , HGB041N15S , HGB042N10A , IRFB3607 , HGB042N10S , HGP042N10S , HGB043N15S , HGK043N15S , HGP043N15S , HGB045N15S , HGK045N15S , HGP045N15S .

History: SI5936DU | SI5908DC | IXKR47N60C5 | MM109N06K | WSF3410 | CS9N95F | WSF4060

 

 
Back to Top

 


 
.