HGP042N10S - описание и поиск аналогов

 

HGP042N10S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP042N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1066 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP042N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP042N10S технические параметры

 ..1. Size:802K  cn hunteck
hgb042n10s hgp042n10s.pdfpdf_icon

HGP042N10S

, HGB042N10S HGP042N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 161 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-220 TO-263 Hard Switching and

 5.1. Size:835K  cn hunteck
hgb042n10a hgp042n10a.pdfpdf_icon

HGP042N10S

, HGB042N10A HGP042N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature TO-263 3.4 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 167 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Swit

 5.2. Size:783K  cn hunteck
hgp042n10al.pdfpdf_icon

HGP042N10S

HGP042N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS Optimized for high speed smooth switching,Logic level 3.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 4.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 166 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drai

 9.1. Size:1049K  cn hunteck
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdfpdf_icon

HGP042N10S

, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous

Другие MOSFET... HGB040N06S , HGP040N06S , HGB040N06SL , HGP040N06SL , HGB041N15S , HGB042N10A , HGP042N10A , HGB042N10S , AON7410 , HGB043N15S , HGK043N15S , HGP043N15S , HGB045N15S , HGK045N15S , HGP045N15S , HGB046NE6A , HGP046NE6A .

 

 
Back to Top

 


 
.