HGB043N15S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGB043N15S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 146 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGB043N15S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGB043N15S даташит
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf
, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous
hgb040n06sl hgp040n06sl.pdf
HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)
hgb046ne6a hgp046ne6a.pdf
, P-1 HGB046NE6A HGP046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 108 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
hgb042n10s hgp042n10s.pdf
, HGB042N10S HGP042N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 161 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-220 TO-263 Hard Switching and
Другие IGBT... HGP040N06S, HGB040N06SL, HGP040N06SL, HGB041N15S, HGB042N10A, HGP042N10A, HGB042N10S, HGP042N10S, 5N65, HGK043N15S, HGP043N15S, HGB045N15S, HGK045N15S, HGP045N15S, HGB046NE6A, HGP046NE6A, HGB046NE6AL
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IXFH74N20P | SST65R1K2S2E | SSU65R420S2 | AGM206A | APT8065BVR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970











