HGB080N10AL - описание и поиск аналогов

 

HGB080N10AL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB080N10AL
   Маркировка: GB080N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB080N10AL

 

HGB080N10AL технические параметры

 ..1. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf pdf_icon

HGB080N10AL

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 85 A ID (Sillico

 4.1. Size:915K  cn hunteck
 hgb080n10a hgp080n10a.pdf pdf_icon

HGB080N10AL

, P-1 HGB080N10A HGP080N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 7.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 7.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 84.3 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching

 7.1. Size:814K  cn hunteck
 hgb080n08sl hgp080n08sl.pdf pdf_icon

HGB080N10AL

HGB080N08SL , HGP080N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 8.4 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 6.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 8.7 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.1. Size:1212K  cn hunteck
 hgb088n15s hgp088n15s.pdf pdf_icon

HGB080N10AL

HGB088N15S HGP088N15S , P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGP070N12S , HGB070N15S , HGK070N15S , HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , HGP080N10A , EMB04N03H , HGP080N10AL , HGB082N10M , HGP082N10M , HGB088N15S , HGP088N15S , HGB090N06SL , HGP090N06SL , HGB095NE4SL .

 

 
Back to Top

 


 
.