HGP082N10M - описание и поиск аналогов

 

HGP082N10M - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP082N10M
   Маркировка: GP082N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP082N10M

 

HGP082N10M технические параметры

 ..1. Size:852K  cn hunteck
 hgb082n10m hgp082n10m.pdf pdf_icon

HGP082N10M

, HGB082N10M HGP082N10M P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS TO-263 6.1 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching TO-220 6.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 100 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

 9.1. Size:1212K  cn hunteck
 hgb088n15s hgp088n15s.pdf pdf_icon

HGP082N10M

HGB088N15S HGP088N15S , P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

 9.2. Size:944K  cn hunteck
 hgp080n10s.pdf pdf_icon

HGP082N10M

HGP080N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 82 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

 9.3. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf pdf_icon

HGP082N10M

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 85 A ID (Sillico

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , HGP080N10A , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M , AOD4184A , HGB088N15S , HGP088N15S , HGB090N06SL , HGP090N06SL , HGB095NE4SL , HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A .

 

 
Back to Top

 


 
.