HGP090N06SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP090N06SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGP090N06SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP090N06SL даташит

 ..1. Size:800K  cn hunteck
 hgb090n06sl hgp090n06sl.pdf pdf_icon

HGP090N06SL

HGB090N06SL HGP090N06SL , P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 9.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 10.0 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.1. Size:964K  cn hunteck
 hgp098n10s.pdf pdf_icon

HGP090N06SL

HGP098N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.0 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit TO-

 9.2. Size:816K  cn hunteck
 hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdf pdf_icon

HGP090N06SL

HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.6 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 10.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.9 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.3. Size:926K  cn hunteck
 hgb098n10a hgp098n10a.pdf pdf_icon

HGP090N06SL

HGB098N10A , P-1 HGP098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching RDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGP080N10A, HGB080N10AL, HGP080N10AL, HGB082N10M, HGP082N10M, HGB088N15S, HGP088N15S, HGB090N06SL, AO4468, HGB095NE4SL, HGP095NE4SL, HGB098N10A, HGP098N10A, HGB098N10AL, HGP098N10AL, HGB100N12S, HGP100N12S