HGB095NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGB095NE4SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB095NE4SL
HGB095NE4SL Datasheet (PDF)
hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdf

HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.6RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.9RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
hgb098n10a hgp098n10a.pdf

HGB098N10A , P-1HGP098N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness70.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in
hgb090n06sl hgp090n06sl.pdf

HGB090N06SL HGP090N06SL, P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.0RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V 9.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.3RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V 10.0RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
hgb098n10al hgp098n10al.pdf

, P-1HGB098N10ALHGP098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8.4RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free68 AID (Sil
Другие MOSFET... HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M , HGP082N10M , HGB088N15S , HGP088N15S , HGB090N06SL , HGP090N06SL , BS170 , HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL , HGP098N10AL , HGB100N12S , HGP100N12S , HGB105N15M .
History: IPD230N06NG | DMP2035UVT | OSG60R030HTZF | SSM6K22FE | CM84N06 | IXTH90N15T | CEB07N7
History: IPD230N06NG | DMP2035UVT | OSG60R030HTZF | SSM6K22FE | CM84N06 | IXTH90N15T | CEB07N7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304