HGP100N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP100N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGP100N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP100N12S даташит

 ..1. Size:813K  cn hunteck
 hgb100n12s hgp100n12s.pdf pdf_icon

HGP100N12S

, HGB100N12S HGP100N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 8.3 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 8.6 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 109 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 0.1. Size:802K  cn hunteck
 hgp100n12sl.pdf pdf_icon

HGP100N12S

HGP100N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 109 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

 9.1. Size:979K  cn hunteck
 hgb105n15s hgp105n15s.pdf pdf_icon

HGP100N12S

, HGB105N15S HGP105N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 104 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS

 9.2. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf pdf_icon

HGP100N12S

, P-1 HGB105N15M HGK105N15M HGP105N15M 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 8.5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 8.8 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGP090N06SL, HGB095NE4SL, HGP095NE4SL, HGB098N10A, HGP098N10A, HGB098N10AL, HGP098N10AL, HGB100N12S, IRF540, HGB105N15M, HGK105N15M, HGP105N15M, HGB105N15S, HGP105N15S, HGB105N15SL, HGP105N15SL, HGB110N10SL