Справочник MOSFET. HGP105N15M

 

HGP105N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP105N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP105N15M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP105N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf pdf_icon

HGP105N15M

, P-1HGB105N15M HGK105N15MHGP105N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 8.5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 8.8RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

 5.1. Size:979K  cn hunteck
 hgb105n15s hgp105n15s.pdf pdf_icon

HGP105N15M

,HGB105N15S HGP105N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness104 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

 5.2. Size:855K  cn hunteck
 hgb105n15sl hgp105n15sl.pdf pdf_icon

HGP105N15M

HGB105N15SL HGP105N15SL, P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic LevelTO-263 8.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness122 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synch

 9.1. Size:802K  cn hunteck
 hgp100n12sl.pdf pdf_icon

HGP105N15M

HGP100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL , HGP098N10AL , HGB100N12S , HGP100N12S , HGB105N15M , HGK105N15M , IRFZ44 , HGB105N15S , HGP105N15S , HGB105N15SL , HGP105N15SL , HGB110N10SL , HGP110N10SL , HGB110N20S , HGK110N20S .

History: NTMFS5C404NLT | CEU02N6A | FQP2N50 | RJK1535DPJ | AP3990R | SVS7N65SD2TR | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.