Справочник MOSFET. HGP105N15SL

 

HGP105N15SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGP105N15SL
   Маркировка: P105N15SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP105N15SL

 

 

HGP105N15SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  cn hunteck
 hgb105n15sl hgp105n15sl.pdf

HGP105N15SL HGP105N15SL

HGB105N15SL HGP105N15SL, P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic LevelTO-263 8.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness122 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synch

 4.1. Size:979K  cn hunteck
 hgb105n15s hgp105n15s.pdf

HGP105N15SL HGP105N15SL

,HGB105N15S HGP105N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness104 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

 5.1. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf

HGP105N15SL HGP105N15SL

, P-1HGB105N15M HGK105N15MHGP105N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 8.5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 8.8RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

 9.1. Size:802K  cn hunteck
 hgp100n12sl.pdf

HGP105N15SL HGP105N15SL

HGP100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

 9.2. Size:813K  cn hunteck
 hgb100n12s hgp100n12s.pdf

HGP105N15SL HGP105N15SL

,HGB100N12S HGP100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 8.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 8.6RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top