HGB130N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB130N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB130N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB130N12S даташит

 ..1. Size:1047K  cn hunteck
 hgb130n12s hgp130n12s.pdf pdf_icon

HGB130N12S

, HGB130N12S HGP130N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 10 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 10.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 74 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Другие IGBT... HGP110N10SL, HGB110N20S, HGK110N20S, HGP110N20S, HGB115N15S, HGP115N15S, HGB120N10A, HGP120N10A, P55NF06, HGP130N12S, HGB155N15S, HGP155N15S, HGB170N10A, HGP170N10A, HGB170N10AL, HGP170N10AL, HGB190N15S