HGB170N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGB170N10A
Маркировка: GB170N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 39 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 146 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0195 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB170N10A
HGB170N10A Datasheet (PDF)
hgb170n10a hgp170n10a.pdf
HGB170N10A , P-1HGP170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 17RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgb170n10al hgp170n10al.pdf
, P-1HGB170N10AL HGP170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45.3 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
