HGP170N10AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP170N10AL
Маркировка: GP170N10AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 147 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0257 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP170N10AL
HGP170N10AL Datasheet (PDF)
hgb170n10al hgp170n10al.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
, P-1HGB170N10AL HGP170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45.3 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i
hgb170n10a hgp170n10a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGB170N10A , P-1HGP170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 17RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .