HGP170N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP170N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0257 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGP170N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP170N10AL даташит

 ..1. Size:922K  cn hunteck
 hgb170n10al hgp170n10al.pdf pdf_icon

HGP170N10AL

, P-1 HGB170N10AL HGP170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 45.3 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

 4.1. Size:920K  cn hunteck
 hgb170n10a hgp170n10a.pdf pdf_icon

HGP170N10AL

Другие IGBT... HGP120N10A, HGB130N12S, HGP130N12S, HGB155N15S, HGP155N15S, HGB170N10A, HGP170N10A, HGB170N10AL, 2SK3878, HGB190N15S, HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S