HGB195N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB195N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB195N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB195N15S даташит

 ..1. Size:984K  cn hunteck
 hgb195n15s hgp195n15s.pdf pdf_icon

HGB195N15S

, P-1 HGB195N15S HGP195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 16.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 16.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 59 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 9.1. Size:813K  cn hunteck
 hgb190n15s hgp190n15s.pdf pdf_icon

HGB195N15S

Другие IGBT... HGB155N15S, HGP155N15S, HGB170N10A, HGP170N10A, HGB170N10AL, HGP170N10AL, HGB190N15S, HGP190N15S, IRF9540N, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S, HGB220N25S, HGK220N25S