HGB195N15S - описание и поиск аналогов

 

HGB195N15S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB195N15S
   Маркировка: GB195N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB195N15S

 

HGB195N15S технические параметры

 ..1. Size:984K  cn hunteck
 hgb195n15s hgp195n15s.pdf pdf_icon

HGB195N15S

, P-1 HGB195N15S HGP195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 16.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 16.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 59 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 9.1. Size:813K  cn hunteck
 hgb190n15s hgp190n15s.pdf pdf_icon

HGB195N15S

Другие MOSFET... HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , IRF9540N , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S .

 

 
Back to Top

 


 
.