HGB220N25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGB220N25S
Маркировка: GB220N25S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 429 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 93 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 348 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0219 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB220N25S
HGB220N25S Datasheet (PDF)
..1. Size:886K cn hunteck
hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf
hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf
,HGB220N25S HGK220N25S P-1HGP220N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 16.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 15.5RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 16.6RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested93 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package L
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
