Справочник MOSFET. HGB220N25S

 

HGB220N25S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB220N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0219 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB220N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn hunteck
 hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf pdf_icon

HGB220N25S

,HGB220N25S HGK220N25S P-1HGP220N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 16.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 15.5RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 16.6RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested93 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package L

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.