Справочник MOSFET. HGB220N25S

 

HGB220N25S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB220N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0219 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB220N25S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB220N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn hunteck
 hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf pdf_icon

HGB220N25S

,HGB220N25S HGK220N25S P-1HGP220N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 16.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 15.5RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 16.6RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested93 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package L

Другие MOSFET... HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , AON7410 , HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S .

History: NP82N04PUG | AUIRF8736M2TR | PT4606 | AONR34332C | MTP4835Q8 | IPD90N06S4-05

 

 
Back to Top

 


 
.