HGB220N25S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB220N25S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0219 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB220N25S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB220N25S даташит

 ..1. Size:886K  cn hunteck
 hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf pdf_icon

HGB220N25S

, HGB220N25S HGK220N25S P-1 HGP220N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 16.3 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 15.5 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 16.6 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 93 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 180 A ID (Package L

Другие IGBT... HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S, SPP20N60C3, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S