HGK320N20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGK320N20S
Маркировка: GK320N20S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 124 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK320N20S
HGK320N20S Datasheet (PDF)
..1. Size:875K cn hunteck
hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf
hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf
,HGB320N20S HGP320N20S P-1HGK320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 28RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 28RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested51 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
