Справочник MOSFET. HGP320N20S

 

HGP320N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP320N20S
   Маркировка: GP320N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP320N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP320N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  cn hunteck
 hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf pdf_icon

HGP320N20S

,HGB320N20S HGP320N20S P-1HGK320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 28RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 28RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested51 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , IRF530 , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , HGB640N25S , HGK640N25S , HGP640N25S .

History: DMT3008LFDF | DMC1229UFDB | AP9565AGH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.