HGP320N20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP320N20S
Маркировка: GP320N20S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 124 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP320N20S
HGP320N20S Datasheet (PDF)
..1. Size:875K cn hunteck
hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf
hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf
,HGB320N20S HGP320N20S P-1HGK320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 28RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 28RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested51 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
