HGB480N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB480N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB480N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB480N15M даташит

 ..1. Size:856K  cn hunteck
 hgb480n15m hgp480n15m.pdf pdf_icon

HGB480N15M

HGB480N15M , HGP480N15M P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level TO-263 38 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 41 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 29 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

Другие IGBT... HGB290N10SL, HGP290N10SL, HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, HGP390N25S, HGK390N25S, CS150N03A8, HGP480N15M, HGB640N25S, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL, HGD029NE4SL, HGD032NE4S