HGK640N25S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGK640N25S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGK640N25S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK640N25S даташит

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf pdf_icon

HGK640N25S

, HGB640N25S HGP640N25S P-1 HGK640N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Switching TO-263 50 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 50 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 50 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, HGP390N25S, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S, STP80NF70, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL, HGD029NE4SL, HGD032NE4S, HGD035N08A, HGD035N08AL, HGD040N06S