HGK640N25S - описание и поиск аналогов

 

HGK640N25S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGK640N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для HGK640N25S

 

HGK640N25S технические параметры

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf pdf_icon

HGK640N25S

, HGB640N25S HGP640N25S P-1 HGK640N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Switching TO-263 50 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 50 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 50 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , HGB640N25S , STP80NF70 , HGP640N25S , HGD028NE6A , HGD028NE6AL , HGD029NE4SL , HGD032NE4S , HGD035N08A , HGD035N08AL , HGD040N06S .

 

 
Back to Top

 


 
.