Справочник MOSFET. HGK640N25S

 

HGK640N25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGK640N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для HGK640N25S

 

 

HGK640N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf

HGK640N25S HGK640N25S

,HGB640N25S HGP640N25S P-1HGK640N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 50RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 50RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 50RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top