HGD045NE4SL - описание и поиск аналогов

 

HGD045NE4SL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGD045NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 756 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для HGD045NE4SL

 

HGD045NE4SL технические параметры

 ..1. Size:818K  cn hunteck
 hgd045ne4sl.pdf pdf_icon

HGD045NE4SL

HGD045NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 3.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 114 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Syn

 9.1. Size:898K  cn hunteck
 hgd046ne6a.pdf pdf_icon

HGD045NE4SL

P-1 HGD046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 101 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

 9.2. Size:898K  cn hunteck
 hgd046ne6al.pdf pdf_icon

HGD045NE4SL

P-1 HGD046NE6AL 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 3.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 101 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 9.3. Size:894K  cn hunteck
 hgd040n06sl hgi040n06sl.pdf pdf_icon

HGD045NE4SL

HGD040N06SL HGI040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 3.3 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 132 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGD028NE6AL , HGD029NE4SL , HGD032NE4S , HGD035N08A , HGD035N08AL , HGD040N06S , HGD040N06SL , HGI040N06SL , RFP50N06 , HGD046NE6A , HGD046NE6AL , HGD050N10A , HGD053N06S , HGD053N06SL , HGI053N06SL , HGD058N08SL , HGD059N08A .

History: HM2312B | FQP2NA90

 

 
Back to Top

 


 
.