HGI059N08A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGI059N08A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 502 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
Тип корпуса: TO-251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGI059N08A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGI059N08A даташит
hgd059n08a hgi059n08a.pdf
, P-1 HGD059N08A HGI059N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 89 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circu
hgd059n08al hgi059n08al.pdf
, P-1 HGD059N08AL HGI059N08AL 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 88 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i
hgi050n10al.pdf
HGI050N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 112 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS TO-251 Hard Switching and Hig
Другие IGBT... HGD046NE6A, HGD046NE6AL, HGD050N10A, HGD053N06S, HGD053N06SL, HGI053N06SL, HGD058N08SL, HGD059N08A, 2N60, HGD059N08AL, HGI059N08AL, HGD077N10SL, HGI077N10SL, HGD080N10A, HGI080N10A, HGD080N10AL, HGI080N10AL
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g




