Справочник MOSFET. HGI059N08AL

 

HGI059N08AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI059N08AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI059N08AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI059N08AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:964K  cn hunteck
hgd059n08al hgi059n08al.pdfpdf_icon

HGI059N08AL

, P-1HGD059N08ALHGI059N08AL80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness88 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 4.1. Size:959K  cn hunteck
hgd059n08a hgi059n08a.pdfpdf_icon

HGI059N08AL

, P-1HGD059N08AHGI059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability89 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circu

 9.1. Size:908K  cn hunteck
hgd053n06sl hgi053n06sl.pdfpdf_icon

HGI059N08AL

HGD053N06SL , HGI053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.2. Size:931K  cn hunteck
hgi050n10al.pdfpdf_icon

HGI059N08AL

HGI050N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness112 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-251 Hard Switching and Hig

Другие MOSFET... HGD050N10A , HGD053N06S , HGD053N06SL , HGI053N06SL , HGD058N08SL , HGD059N08A , HGI059N08A , HGD059N08AL , AO3401 , HGD077N10SL , HGI077N10SL , HGD080N10A , HGI080N10A , HGD080N10AL , HGI080N10AL , HGD090NE6A , HGI090NE6A .

History: SLF740UZ | P2004EV | AOB2606L | IXFT50N85XHV | 8N65KG-TMS-T | DMN1019USN | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.