HGD090NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGD090NE6A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 567 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
HGD090NE6A Datasheet (PDF)
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit
hgd090ne6al hgi090ne6al.pdf

HGD090NE6AL , HGI090NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness58 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in
hgi090n06sl hgd090n06sl.pdf

HGI090N06SL HGD090N06SL, P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested40 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
hgd093n12sl.pdf

HGD093N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested81 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие MOSFET... HGD059N08AL , HGI059N08AL , HGD077N10SL , HGI077N10SL , HGD080N10A , HGI080N10A , HGD080N10AL , HGI080N10AL , RU7088R , HGI090NE6A , HGD090NE6AL , HGI090NE6AL , HGD092NE6AL , HGD093N12SL , HGD095NE4SL , HGI095NE4SL , HGD098N10A .
History: SLF65R420S2
History: SLF65R420S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet