HGI090NE6A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGI090NE6A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 567 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGI090NE6A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGI090NE6A даташит
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf
HGD090NE6A , HGI090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 57 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit
hgd090ne6al hgi090ne6al.pdf
HGD090NE6AL , HGI090NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 58 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in
hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf
HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 10 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 56 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application
Другие IGBT... HGI059N08AL, HGD077N10SL, HGI077N10SL, HGD080N10A, HGI080N10A, HGD080N10AL, HGI080N10AL, HGD090NE6A, IRFZ46N, HGD090NE6AL, HGI090NE6AL, HGD092NE6AL, HGD093N12SL, HGD095NE4SL, HGI095NE4SL, HGD098N10A, HGI098N10A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HGD058N08SL | HGD090NE6AL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c







