HGD095NE4SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGD095NE4SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD095NE4SL
HGD095NE4SL Datasheet (PDF)
hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf

HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness56 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit
hgd093n12sl.pdf

HGD093N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested81 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgd098n10al hgi098n10al.pdf

, P-1HGD098N10ALHGI098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness65.9 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectificati
Другие MOSFET... HGD080N10AL , HGI080N10AL , HGD090NE6A , HGI090NE6A , HGD090NE6AL , HGI090NE6AL , HGD092NE6AL , HGD093N12SL , EMB04N03H , HGI095NE4SL , HGD098N10A , HGI098N10A , HGD098N10AL , HGI098N10AL , HGD098N10SL , HGI098N10SL , HGD100N12S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118