HGD095NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGD095NE4SL
Маркировка: GD095NE4SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
HGD095NE4SL Datasheet (PDF)
hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf

HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness56 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit
hgd093n12sl.pdf

HGD093N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested81 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgd098n10al hgi098n10al.pdf

, P-1HGD098N10ALHGI098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness65.9 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectificati
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 2SK3712 | CEP75N06 | RU60E16R | PDPM6N20V3 | OSG55R028HF | MTM2N50 | RQ3E120AT
History: 2SK3712 | CEP75N06 | RU60E16R | PDPM6N20V3 | OSG55R028HF | MTM2N50 | RQ3E120AT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118