Справочник MOSFET. HGI095NE4SL

 

HGI095NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI095NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI095NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  cn hunteck
 hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf pdf_icon

HGI095NE4SL

HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness56 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:986K  cn hunteck
 hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf pdf_icon

HGI095NE4SL

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

 9.2. Size:962K  cn hunteck
 hgd098n10al hgi098n10al.pdf pdf_icon

HGI095NE4SL

, P-1HGD098N10ALHGI098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness65.9 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectificati

 9.3. Size:967K  cn hunteck
 hgd098n10sl hgi098n10sl.pdf pdf_icon

HGI095NE4SL

HGD098N10SL , P-1HGI098N10SL100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability8.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness10.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested67 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.