HGD100N12SL - описание и поиск аналогов

 

HGD100N12SL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGD100N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD100N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD100N12SL технические параметры

 ..1. Size:1160K  cn hunteck
 hgd100n12sl.pdf pdf_icon

HGD100N12SL

HGD100N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 102 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in

 4.1. Size:819K  cn hunteck
 hgd100n12s.pdf pdf_icon

HGD100N12SL

HGD100N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-252 8.6 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 102 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

Другие MOSFET... HGI095NE4SL , HGD098N10A , HGI098N10A , HGD098N10AL , HGI098N10AL , HGD098N10SL , HGI098N10SL , HGD100N12S , AO4468 , HGD110N08A , HGI110N08A , HGD110N08AL , HGI110N08AL , HGD110N10SL , HGI110N10SL , HGD120N06SL , HGI120N06SL .

History: HGI110N08AL | HGD100N12S

 

 
Back to Top

 


 
.