Справочник MOSFET. HGD100N12SL

 

HGD100N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD100N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD100N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD100N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  cn hunteck
 hgd100n12sl.pdf pdf_icon

HGD100N12SL

HGD100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness102 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

 4.1. Size:819K  cn hunteck
 hgd100n12s.pdf pdf_icon

HGD100N12SL

HGD100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-252 8.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability102 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

Другие MOSFET... HGI095NE4SL , HGD098N10A , HGI098N10A , HGD098N10AL , HGI098N10AL , HGD098N10SL , HGI098N10SL , HGD100N12S , IRFP064N , HGD110N08A , HGI110N08A , HGD110N08AL , HGI110N08AL , HGD110N10SL , HGI110N10SL , HGD120N06SL , HGI120N06SL .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.