SP2112 - описание и поиск аналогов

 

SP2112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP2112

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для SP2112

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP2112 даташит

 ..1. Size:119K  samhop
 sp2112.pdf pdf_icon

SP2112

Green Product SP2112 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 390 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1.2A 430 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2 DFN 3x3 PIN1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

 9.1. Size:104K  samhop
 sp2110.pdf pdf_icon

SP2112

Green Product SP2110 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 390 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1.6A 460 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2 PIN1 PDFN 5x6 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

Другие MOSFET... SP3900 , FDS8882 , SP2702 , FDS8884 , SP2700 , FDS8896 , SP2458 , FDS89141 , IRF520 , FDS89161 , SP2110 , FDS89161LZ , SP2108 , FDS8928A , SP2107 , SP2106 , FDS8935 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.