Справочник MOSFET. SP2112

 

SP2112 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP2112
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP2112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  samhop
 sp2112.pdf pdf_icon

SP2112

GreenProductSP2112aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.390 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A430 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

 9.1. Size:104K  samhop
 sp2110.pdf pdf_icon

SP2112

GreenProductSP2110aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.390 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.6A460 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

Другие MOSFET... SP3900 , FDS8882 , SP2702 , FDS8884 , SP2700 , FDS8896 , SP2458 , FDS89141 , 10N65 , FDS89161 , SP2110 , FDS89161LZ , SP2108 , FDS8928A , SP2107 , SP2106 , FDS8935 .

History: SPA04N50C3 | SP8255 | NCEP18N10AR | NCEP6090AK | NCEP40T20A

 

 
Back to Top

 


 
.