HGD110N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD110N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD110N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD110N10SL даташит

 ..1. Size:938K  cn hunteck
 hgd110n10sl hgi110n10sl.pdf pdf_icon

HGD110N10SL

 7.1. Size:972K  cn hunteck
 hgd110n08al hgi110n08al.pdf pdf_icon

HGD110N10SL

HGD110N08AL , HGI110N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in

 7.2. Size:983K  cn hunteck
 hgd110n08a hgi110n08a.pdf pdf_icon

HGD110N10SL

HGD110N08A , HGI110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 51 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

Другие IGBT... HGD098N10SL, HGI098N10SL, HGD100N12S, HGD100N12SL, HGD110N08A, HGI110N08A, HGD110N08AL, HGI110N08AL, IRF840, HGI110N10SL, HGD120N06SL, HGI120N06SL, HGD155N15S, HGD170N10A, HGI170N10A, HGD170N10AL, HGI170N10AL